Commande électronique avancée d’un transistor de puissance au carbure de silicium

En peu de temps, le transistor de puissance SiC a surpassé le Si dans les applications exigeant efficacité énergétique et haute fréquence de découpage. Cet article présente une architecture de commande électronique novatrice pour assurer la sécurité et surveiller la santé du transistor. Elle repose sur des résistances de grille commutées en parallèle, permettant une commutation rapide et une détection efficace des défauts. Cette approche tire profit des variations de charge électrique de la grille en cas de défaut, en isolant partiellement la grille pour une détection plus sensible des défauts. Elle est validée avec succès sur des MOSFETs SiC de calibre 1200 V-36 A.